บริษัท SK Hynix สามารถเอาชนะ Samsung ได้ด้วยการเปิดตัว NAND flash memory แบบ 321 ชั้น TLC เป็นครั้งแรกในโลก SK Hynix เป็นผู้ผลิตชิปหน่วยความจำที่ใหญ่เป็นอันดับสองของโลก และการพัฒนา NAND แบบ 321 ชั้นนี้จะช่วยเพิ่มความจุของหน่วยความจำในราคาที่เข้าถึงได้มากขึ้น ชิป NAND แบบ 321 ชั้นนี้มีความจุ 1 เทราบิต และใช้เทคโนโลยี "Three Plugs" ที่เชื่อมต่อช่องแนวตั้งของชั้นหน่วยความจำสามชั้นพร้อมกันผ่านกระบวนการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าที่ปรับปรุงใหม่ กระบวนการนี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตถึง 59% เมื่อเทียบกับ NAND แบบ 238 ชั้นรุ่นก่อน SK Hynix คาดว่าจะส่งมอบหน่วยความจำใหม่นี้ให้กับลูกค้าในครึ่งแรกของปี 2025 โดยตลาด AI เป็นเป้าหมายแรก แต่ SSD ที่มีความจุสูงสำหรับการเล่นเกม การตัดต่อสื่อ และการเก็บข้อมูลขนาดใหญ่จะตามมาในไม่ช้า ด้าน Samsung กำลังพัฒนา NAND แบบ 400 ชั้นที่จะเปิดตัวในปี 2026 และหวังว่าจะมีเทคโนโลยี NAND แนวตั้งที่เชื่อมต่อกันได้พร้อมในปี 2030 ซึ่งจะช่วยให้ชิปมีความหนาแน่นมากขึ้นและ SSD อาจมีความจุเกิน 200TB !! https://www.techspot.com/news/106105-sk-hynix-beats-samsung-launching-321-layer-tlc.html