นักวิทยาศาสตร์ที่ MIT ได้สร้างสถานะแม่เหล็กที่ไม่เหมือนใครในวัสดุโดยใช้แสง โดยการใช้เลเซอร์พวกเขาสามารถเปลี่ยนวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกให้เป็นสถานะใหม่ทั้งหมด วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติก (Antiferromagnetic materials) เป็นวัสดุที่มีคุณสมบัติแม่เหล็กที่แตกต่างจากวัสดุแม่เหล็กทั่วไป (Ferromagnetic materials) ในวัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติก การจัดเรียงของสปินของอิเล็กตรอนจะเป็นแบบสลับกันขึ้น-ลง-ขึ้น-ลง ทำให้ผลรวมของสนามแม่เหล็กสุทธิเป็นศูนย์ ทำให้วัสดุแอนติเฟอร์โรแมกเนติกมีความทนทานต่อการรบกวนจากสนามแม่เหล็กภายนอก ซึ่งเป็นประโยชน์สำหรับการจัดเก็บข้อมูลที่ปลอดภัย การค้นพบของนักวิทยาศาสตร์ที่ MIT กลุ่มนี้มีศักยภาพในการปฏิวัติเทคโนโลยีหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูลรุ่นต่อไป โดยเปิดทางให้ชิปที่มีความหนาแน่นและความทนทานที่ดีกว่ามาตรฐานในปัจจุบัน ทีมวิจัยที่นำโดยศาสตราจารย์ฟิสิกส์ Nuh Gedik มุ่งเน้นไปที่วัสดุที่เรียกว่า FePS₃ ซึ่งเป็นประเภทของแอนติเฟอร์โรแมกเนติกที่เปลี่ยนเป็นสถานะที่ไม่เป็นแม่เหล็กที่อุณหภูมิประมาณ -247°F พวกเขาสันนิษฐานว่าการกระตุ้นการสั่นสะเทือนของอะตอมของ FePS₃ ด้วยเลเซอร์อย่างแม่นยำสามารถรบกวนการจัดเรียงแอนติเฟอร์โรแมกเนติกแบบปกติและทำให้เกิดสถานะแม่เหล็กใหม่ การค้นพบนี้อาจนำไปสู่การพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำและการประมวลผลที่มีประสิทธิภาพสูงในอนาคต https://www.techspot.com/news/106090-mit-light-activated-antiferromagnetic-memory-could-replace-today.html